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LTC1412
(Note 5)
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
S/(N + D) Signal-to-Noise Plus Distortion Ratio
100kHz Input Signal
72.5
dB
1.465MHz Input Signal
70
72
dB
THD
Total Harmonic Distortion
100kHz Input Signal, First 5 Harmonics
– 90
dB
1.465MHz Input Signal, First 5 Harmonics
– 80
dB
SFDR
Spurious Free Dynamic Range
1.465MHz Input Signal
82
dB
IMD
Intermodulation Distortion
fIN1 = 29.37kHz, fIN2 = 32.446kHz
– 84
dB
Full Power Bandwidth
40
MHz
Full Linear Bandwidth
S/(N + D)
≥ 68dB
4
MHz
ACCURACY
IC
DY
U
W
A
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
VDD
Positive Supply Voltage
(Note 10)
4.75
5.25
V
VSS
Negative Supply Voltage
(Note 10)
– 4.75
– 5.25
V
IDD
Positive Supply Current
CS High
q
12
16
mA
ISS
Negative Supply Current
CS High
q
18
28
mA
PD
Power Dissipation
q
150
220
mW
(Note 5)
I TER AL REFERE CE CHARACTERISTICS
U
UU
PARAMETER
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
VREF Output Voltage
IOUT = 0
2.480
2.500
2.520
V
VREF Output Tempco
IOUT = 0
±15
ppm/
°C
VREF Line Regulation
4.75V
≤ VDD ≤ 5.25V
0.01
LSB/ V
– 5.25V
≤ VSS ≤ –4.75V
0.01
LSB/ V
VREF Output Resistance
0.1mA
≤ IOUT ≤ 0.1mA
2
k
COMP Output Voltage
IOUT = 0
4.06
V
POWER REQUIRE E TS
W
U
(Note 5)
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
VIH
High Level Input Voltage
VDD = 5.25V
q
2.4
V
VIL
Low Level Input Voltage
VDD = 4.75V
q
0.8
V
IIN
Digital Input Current
VIN = 0V to VDD
q
±10
A
CIN
Digital Input Capacitance
1.4
pF
VOH
High Level Output Voltage
VDD = 4.75V, IO = – 10A
4.75
V
VDD = 4.75V, IO = – 200A
q
4.0
4.71
V
VOL
Low Level Output Voltage
VDD = 4.75V, IO = 160A
0.05
V
VDD = 4.75V, IO = 1.6mA
q
0.10
0.4
V
IOZ
Hi-Z Output Leakage D11 to D0
VOUT = 0V to VDD, CS High
q
±10
A
COZ
Hi-Z Output Capacitance D11 to D0
CS High (Note 9)
7
pF
ISOURCE
Output Source Current
VOUT = 0V
– 10
mA
(Note 5)
DIGITAL I PUTS AND OUTPUTS
U
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